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연구단소개 연구팀

연구팀

1-2-3 Project Director

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최양규

연구과제 : 초저전력 신개념 전자소자의 개발

  • 연구목표

    현재 각종 회로 및 메모리는 집적화가 진행됨에 따라 엄청난 전력을 소모하고 이에 따른 열 발생 문제로 인해 집적도의 증가와 성능개선을 위한 소자 크기의 축소화가 어려워 짐

     

    ○ 기존의 CMOS 공정기술을 바탕으로 우수한 성능 및 소비전력을 획기적으로 줄일 수 있는 신개념 전자소자의 개발

     

    ○ 궁극적으로 메모리 및 로직회로의 적용을 통한 초저전력 전자회로 및 시스템 구현

  • 연구내용

    ○ 기존의 CMOS 공정 기술을 바탕으로 우수한 성능 및 소비전력을 획기적으로 줄일 우 있는 새로운 개념의 초저전력, 고집적, 고성능 전자소자의 개발

     

    ○ 새로운 구조의 전면 게이트 (gate-all-around: GAA) 트랜지스터의 개발

    • 생산 단가를 줄일 수 있는 bulk wafer에서 제작된 GAA 전자소자 제작
    • 구동 전류를 늘릴 수 있는 다층 실리콘 나노선 트랜지스터의 개발
    • 제작공정을 줄일 수 있는 junctionless 다층 실리콘 나노선 트랜지스터의 개발

    ○ 제작된 다층 실리콘 나노선 트랜지스터를 기반으로 한 초 저전력, 고성능, 고집적 메모리 소자의 개발

  • 기대효과

    본 과제에서 수행하게 되는 신개념 에너지 혁신소자는 낮은 전력 소모를 통해 기존 CMOS 기반의 전자 시스템의 한계를 극복하기에 적합한 기술임

     

    ○ 초저전력 및 높은 신뢰성을 가지는 메모리 및 로직 등에 사용 가능

     

    ○ 초저전력 소자를 바탕으로 제품 수명 및 효율성관련 제품의 효율성 향상과 수명 연장

     

    ○ 전력 소모 감소와 내구성 증가로 인한 긍정적인 경제적 효과 창출

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